Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > IGBT Power Module > IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

Κατηγορία:
IGBT Power Module
Τιμή:
Negotiable
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Προδιαγραφές
Περιγραφή:
ΓΡΉΓΟΡΟΣ ΚΎΒΟΣ IGBT 1200V ΕΞΑΙΡΕΤΙΚΆ
Αριθμός μερών:
IRG8CH29K10D
Κατασκευαστής:
Τεχνολογίες Infineon
Κατηγορία:
Κρυσταλλολυχνίες - IGBTs - ενιαίο
Οικογένεια:
Κρυσταλλολυχνίες - IGBTs - ενιαίο
Σειρά:
*
Εισαγωγή

IRG8CH29K10D Specifications

Part Status Obsolete
IGBT Type -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) -
Current - Collector (Ic) (Max) -
Current - Collector Pulsed (Icm) -
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic -
Power - Max -
Switching Energy -
Input Type -
Gate Charge -
Td (on/off) @ 25°C -
Test Condition -
Reverse Recovery Time (trr) -
Operating Temperature -
Mounting Type -
Package / Case -
Supplier Device Package -
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

IRG8CH29K10D Packaging

Detection

IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs SingleIRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs SingleIRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs SingleIRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο:
Negotiable