IRG7CH75K10EF-R IGBT Power Module Transistors IGBTs Single
Προδιαγραφές
Αριθμός μερών:
Irg7ch75k10ef-ρ
Κατασκευαστής:
Τεχνολογίες Infineon
Περιγραφή:
ΓΡΉΓΟΡΟΣ ΚΎΒΟΣ IGBT 1200V ΕΞΑΙΡΕΤΙΚΆ
Κατηγορία:
Κρυσταλλολυχνίες - IGBTs - ενιαίο
Οικογένεια:
Κρυσταλλολυχνίες - IGBTs - ενιαίο
Εισαγωγή
IRG7CH75K10EF-R Specifications
Part Status | Obsolete |
---|---|
IGBT Type | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Current - Collector (Ic) (Max) | - |
Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.53V @ 15V, 20A |
Power - Max | - |
Switching Energy | - |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 500nC |
Td (on/off) @ 25°C | 120ns/445ns |
Test Condition | 600V, 100A, 5 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | Die |
Supplier Device Package | Die |
Shipment | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
Condtion | New original factory. |
IRG7CH75K10EF-R Packaging
Detection
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο:
Negotiable