SIHG30N60E-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
Κατηγορία:
Τρανζίστορ εφέ πεδίου
Τιμή:
διαπραγματεύσιμα
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Προδιαγραφές
Αριθμός μερών:
SIHG30N60E-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Περιγραφή:
MOSFET ν-CH 600V 29A TO247AC
Κατηγορία:
Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια:
Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Εισαγωγή
SIHG30N60E-GE3 προδιαγραφές
| Θέση μερών | Ενεργός |
|---|---|
| Τύπος FET | N-Channel |
| Τεχνολογία | MOSFET (μεταλλικό οξείδιο) |
| Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) | 600V |
| Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C | 29A (TC) |
| Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) | - |
| Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ | 4V @ 250µA |
| Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 100V |
| Vgs (Max) | - |
| Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET | - |
| Διασκεδασμός δύναμης (Max) | 250W (TC) |
| RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs | 125 mOhm @ 15A, 10V |
| Λειτουργούσα θερμοκρασία | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Τοποθετώντας τύπος | Μέσω της τρύπας |
| Συσκευασία συσκευών προμηθευτών | -247AC |
| Συσκευασία/περίπτωση | -247-3 |
| Αποστολή | UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής. |
| Όρος | Νέο αρχικό εργοστάσιο. |
SIHG30N60E-GE3 συσκευασία
Ανίχνευση
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο:
Negotiable