2N7002ET1G MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
Κατηγορία:
Τρανζίστορ εφέ πεδίου
Τιμή:
Negotiable
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Προδιαγραφές
Περιγραφή:
MOSFET Ν-CH 60V 260MA ΜΈΘΥΣΟΣ-23
Αριθμός μερών:
2N7002ET1G
Κατασκευαστής:
Στον ημιαγωγό
Κατηγορία:
Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια:
Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Εισαγωγή
2N7002ET1G προδιαγραφές
| Θέση μερών | Ενεργός |
|---|---|
| Τύπος FET | N-Channel |
| Τεχνολογία | MOSFET (μεταλλικό οξείδιο) |
| Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) | 60V |
| Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C | 260mA (TA) |
| Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) | 4.5V, 10V |
| Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ | 2.5V @ 250µA |
| Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs | 0.81nC @ 5V |
| Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds | 26.7pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET | - |
| Διασκεδασμός δύναμης (Max) | 300mW (Tj) |
| RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs | 2,5 ωμ @ 240mA, 10V |
| Λειτουργούσα θερμοκρασία | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Τοποθετώντας τύπος | Η επιφάνεια τοποθετεί |
| Συσκευασία συσκευών προμηθευτών | ΜΈΘΥΣΟΣ-23-3 (-236) |
| Συσκευασία/περίπτωση | -236-3, SC-59, ΜΈΘΥΣΟΣ-23-3 |
| Αποστολή | UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής. |
| Όρος | Νέο αρχικό εργοστάσιο. |
2N7002ET1G συσκευασία
Ανίχνευση
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο:
Negotiable