|
Λεπτομέρειες:
|
| Αριθμός μερών: | IRF7910PBF | Κατασκευαστής: | Τεχνολογίες Infineon |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή: | MOSFET 2n-CH 12V 10A 8-SOIC | Κατηγορία: | Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - σειρές |
| Οικογένεια: | Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - σειρές | Σειρά: | HEXFET® |
| Θέση μερών | Διακομμένος στο digi-κλειδί |
|---|---|
| Τύπος FET | 2 N-Channel (διπλό) |
| Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET | Πύλη επιπέδων λογικής |
| Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) | 12V |
| Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C | 10A |
| RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs | 15 mOhm @ 8A, 4.5V |
| Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ | 2V @ 250µA |
| Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
| Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 6V |
| Δύναμη - Max | 2W |
| Λειτουργούσα θερμοκρασία | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Τοποθετώντας τύπος | Η επιφάνεια τοποθετεί |
| Συσκευασία/περίπτωση | 8-SOIC (πλάτος 0,154», 3.90mm) |
| Συσκευασία συσκευών προμηθευτών | 8-ΕΤΣΙ |
| Αποστολή | UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής. |
| Όρος | Νέο αρχικό εργοστάσιο. |
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek
Τηλ.:: +8615017926135
