|
Λεπτομέρειες:
|
| Αριθμός μερών: | IRF6150 | Κατασκευαστής: | Τεχνολογίες Infineon |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή: | MOSFET 2p-CH 20V 7.9A κτύπημα-FET | Κατηγορία: | Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - σειρές |
| Οικογένεια: | Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - σειρές | Σειρά: | HEXFET® |
| Θέση μερών | Ξεπερασμένος |
|---|---|
| Τύπος FET | 2 P-Channel (διπλό) |
| Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET | Πρότυπα |
| Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) | 20V |
| Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C | 7.9A |
| RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs | 36 mOhm @ 7.9A, 4.5V |
| Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ | 1.2V @ 250µA |
| Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Δύναμη - Max | 3W |
| Λειτουργούσα θερμοκρασία | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Τοποθετώντας τύπος | Η επιφάνεια τοποθετεί |
| Συσκευασία/περίπτωση | 16-FlipFet™ |
| Συσκευασία συσκευών προμηθευτών | 16-FlipFet™ |
| Αποστολή | UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής. |
| Όρος | Νέο αρχικό εργοστάσιο. |
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek
Τηλ.:: +8615017926135
