|
Λεπτομέρειες:
|
| Αριθμός μερών: | BSO615CT | Κατασκευαστής: | Τεχνολογίες Infineon |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή: | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | Κατηγορία: | Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - σειρές |
| Οικογένεια: | Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - σειρές | Σειρά: | SIPMOS® |
| Θέση μερών | Ξεπερασμένος |
|---|---|
| Τύπος FET | Ν και P-Channel |
| Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET | Πύλη επιπέδων λογικής |
| Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) | 60V |
| Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C | 3.1A, 2A |
| RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ | 2V @ 20µA |
| Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs | 22.5nC @ 10V |
| Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Δύναμη - Max | 2W |
| Λειτουργούσα θερμοκρασία | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Τοποθετώντας τύπος | Η επιφάνεια τοποθετεί |
| Συσκευασία/περίπτωση | 8-SOIC (πλάτος 0,154», 3.90mm) |
| Συσκευασία συσκευών προμηθευτών | PG-dso-8 |
| Αποστολή | UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής. |
| Όρος | Νέο αρχικό εργοστάσιο. |
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek
Τηλ.:: +8615017926135
