|
Λεπτομέρειες:
|
| Αριθμός μερών: | Si5902bdc-T1-GE3 | Κατασκευαστής: | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή: | MOSFET 2n-CH 30V 4A 1206-8 | Κατηγορία: | Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - σειρές |
| Οικογένεια: | Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - σειρές | Σειρά: | TrenchFET® |
| Θέση μερών | Ενεργός |
|---|---|
| Τύπος FET | 2 N-Channel (διπλό) |
| Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET | Πύλη επιπέδων λογικής |
| Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) | 30V |
| Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C | 4A |
| RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs | 65 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ | 3V @ 250µA |
| Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
| Δύναμη - Max | 3.12W |
| Λειτουργούσα θερμοκρασία | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Τοποθετώντας τύπος | Η επιφάνεια τοποθετεί |
| Συσκευασία/περίπτωση | 8-SMD, επίπεδος μόλυβδος |
| Συσκευασία συσκευών προμηθευτών | 1206-8 ChipFET™ |
| Αποστολή | UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής. |
| Όρος | Νέο αρχικό εργοστάσιο. |
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek
Τηλ.:: +8615017926135
