Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

DMS3015SSS-13 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Είμαι Online Chat Now

DMS3015SSS-13 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

DMS3015SSS-13 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
DMS3015SSS-13 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Μεγάλες Εικόνας :  DMS3015SSS-13 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

DMS3015SSS-13 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

περιγραφή
Αριθμός μερών: DMS3015SSS-13 Κατασκευαστής: Δίοδοι που ενσωματώνονται
Περιγραφή: MOSFET ν-CH 30V 11A 8SO Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία

DMS3015SSS-13 προδιαγραφές

Θέση μερών Ενεργός
Τύπος FET N-Channel
Τεχνολογία MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) 30V
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C 11A (TA)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) 4.5V, 10V
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ 2.5V @ 250µA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs 30.6nC @ 10V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds 1276pF @ 15V
Vgs (Max) ±12V
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET Δίοδος Schottky (σώμα)
Διασκεδασμός δύναμης (Max) 1.55W (TA)
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs 11.9 mOhm @ 11A, 10V
Λειτουργούσα θερμοκρασία -55°C ~ 150°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος Η επιφάνεια τοποθετεί
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών 8-ΕΤΣΙ
Συσκευασία/περίπτωση 8-SOIC (πλάτος 0,154», 3.90mm)
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

DMS3015SSS-13 συσκευασία

Ανίχνευση

DMS3015SSS-13 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 0DMS3015SSS-13 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 1DMS3015SSS-13 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 2DMS3015SSS-13 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα