Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

BUK9608-55B, 118 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Είμαι Online Chat Now

BUK9608-55B, 118 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

BUK9608-55B, 118 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
BUK9608-55B, 118 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Μεγάλες Εικόνας :  BUK9608-55B, 118 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

BUK9608-55B, 118 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

περιγραφή
Αριθμός μερών: BUK9608-55B, 118 Κατασκευαστής: ΑΜΕΡΙΚΑΝΙΚΗ Α.Ε. Nexperia.
Περιγραφή: MOSFET ν-CH 55V 75A D2PAK Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία Σειρά: Αυτοκίνητος, AEC-Q101, TrenchMOS™

BUK9608-55B, 118 προδιαγραφές

Θέση μερών Ενεργός
Τύπος FET N-Channel
Τεχνολογία MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) 55V
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C 75A (TC)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) 5V, 10V
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ 2V @ 1mA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 5V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds 5280pF @ 25V
Vgs (Max) ±15V
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET -
Διασκεδασμός δύναμης (Max) 203W (TC)
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs 7 mOhm @ 25A, 10V
Λειτουργούσα θερμοκρασία -55°C ~ 175°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος Η επιφάνεια τοποθετεί
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών D2PAK
Συσκευασία/περίπτωση -263-3, Δ ² Pak (2 μόλυβδοι + ετικέττα), -263AB
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

BUK9608-55B, 118 που συσκευάζει

Ανίχνευση

BUK9608-55B, 118 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 0BUK9608-55B, 118 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 1BUK9608-55B, 118 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 2BUK9608-55B, 118 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα