Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

IRLU024PBF MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Είμαι Online Chat Now

IRLU024PBF MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

IRLU024PBF MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
IRLU024PBF MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Μεγάλες Εικόνας :  IRLU024PBF MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

IRLU024PBF MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

περιγραφή
Αριθμός μερών: IRLU024PBF Κατασκευαστής: Vishay Siliconix
Περιγραφή: MOSFET ν-CH 60V 14A ι-PAK Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία

IRLU024PBF προδιαγραφές

Θέση μερών Ενεργός
Τύπος FET N-Channel
Τεχνολογία MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) 60V
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C 14A (TC)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) 4V, 5V
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ 2V @ 250µA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 25V
Vgs (Max) ±10V
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET -
Διασκεδασμός δύναμης (Max) 2.5W (TA), 42W (TC)
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs 100 mOhm @ 8.4A, 5V
Λειτουργούσα θερμοκρασία -55°C ~ 150°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος Μέσω της τρύπας
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών -251AA
Συσκευασία/περίπτωση -251-3 σύντομοι μόλυβδοι, IPak, -251AA
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

IRLU024PBF συσκευασία

Ανίχνευση

IRLU024PBF MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 0IRLU024PBF MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 1IRLU024PBF MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 2IRLU024PBF MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα