Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

STB85NF55LT4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Είμαι Online Chat Now

STB85NF55LT4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

STB85NF55LT4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
STB85NF55LT4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Μεγάλες Εικόνας :  STB85NF55LT4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

STB85NF55LT4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

περιγραφή
Αριθμός μερών: STB85NF55LT4 Κατασκευαστής: STMicroelectronics
Περιγραφή: MOSFET ν-CH 55V 80A D2PAK Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία Σειρά: STripFET™ ΙΙ

STB85NF55LT4 προδιαγραφές

Θέση μερών Ενεργός
Τύπος FET N-Channel
Τεχνολογία MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) 55V
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C 80A (TC)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) 5V, 10V
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ 2.5V @ 250µA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 5V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds 4050pF @ 25V
Vgs (Max) ±15V
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET -
Διασκεδασμός δύναμης (Max) 300W (TC)
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs 8 mOhm @ 40A, 10V
Λειτουργούσα θερμοκρασία -55°C ~ 175°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος Η επιφάνεια τοποθετεί
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών D2PAK
Συσκευασία/περίπτωση -263-3, Δ ² Pak (2 μόλυβδοι + ετικέττα), -263AB
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

STB85NF55LT4 συσκευασία

Ανίχνευση

STB85NF55LT4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 0STB85NF55LT4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 1STB85NF55LT4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 2STB85NF55LT4 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα