Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

STP24NM65N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Είμαι Online Chat Now

STP24NM65N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

STP24NM65N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
STP24NM65N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Μεγάλες Εικόνας :  STP24NM65N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

STP24NM65N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

περιγραφή
Αριθμός μερών: STP24NM65N Κατασκευαστής: STMicroelectronics
Περιγραφή: MOSFET ν-CH 650V 19A -220 Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία Σειρά: MDmesh™ ΙΙ

STP24NM65N προδιαγραφές

Θέση μερών Ξεπερασμένος
Τύπος FET N-Channel
Τεχνολογία MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) 650V
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C 19A (TC)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) -
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ 4V @ 250µA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 50V
Vgs (Max) -
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET -
Διασκεδασμός δύναμης (Max) 160W (TC)
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs 190 mOhm @ 9.5A, 10V
Λειτουργούσα θερμοκρασία -55°C ~ 150°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος Μέσω της τρύπας
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών -220AB
Συσκευασία/περίπτωση -220-3
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

STP24NM65N συσκευασία

Ανίχνευση

STP24NM65N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 0STP24NM65N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 1STP24NM65N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 2STP24NM65N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα