Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

STB180N55F3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Είμαι Online Chat Now

STB180N55F3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

STB180N55F3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
STB180N55F3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Μεγάλες Εικόνας :  STB180N55F3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

STB180N55F3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

περιγραφή
Αριθμός μερών: STB180N55F3 Κατασκευαστής: STMicroelectronics
Περιγραφή: MOSFET ν-CH 55V 120A D2PAK Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία Σειρά: STripFET™

STB180N55F3 προδιαγραφές

Θέση μερών Ξεπερασμένος
Τύπος FET N-Channel
Τεχνολογία MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) 55V
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C 120A (TC)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) -
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ 4V @ 250µA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
Vgs (Max) -
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET -
Διασκεδασμός δύναμης (Max) 330W (TC)
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs 3.5 mOhm @ 60A, 10V
Λειτουργούσα θερμοκρασία -55°C ~ 175°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος Η επιφάνεια τοποθετεί
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών D2PAK
Συσκευασία/περίπτωση -263-3, Δ ² Pak (2 μόλυβδοι + ετικέττα), -263AB
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

STB180N55F3 συσκευασία

Ανίχνευση

STB180N55F3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 0STB180N55F3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 1STB180N55F3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 2STB180N55F3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα