Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

Sira52dp-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Είμαι Online Chat Now

Sira52dp-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Sira52dp-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
Sira52dp-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Μεγάλες Εικόνας :  Sira52dp-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

Sira52dp-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

περιγραφή
Αριθμός μερών: Sira52dp-T1-GE3 Κατασκευαστής: Vishay Siliconix
Περιγραφή: MOSFET ν-CH 40V 60A PPAK έτσι-8 Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία Σειρά: TrenchFET®

Sira52dp-T1-GE3 προδιαγραφές

Θέση μερών Ενεργός
Τύπος FET N-Channel
Τεχνολογία MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) 40V
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C 60A (TC)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) 4.5V, 10V
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ 2.4V @ 250µA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds 7150pF @ 20V
Vgs (Max) +20V, -16V
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET -
Διασκεδασμός δύναμης (Max) 48W (TC)
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs 1.7 mOhm @ 15A, 10V
Λειτουργούσα θερμοκρασία -55°C ~ 150°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος Η επιφάνεια τοποθετεί
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών PowerPAK® έτσι-8
Συσκευασία/περίπτωση PowerPAK® έτσι-8
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

Sira52dp-T1-GE3 συσκευασία

Ανίχνευση

Sira52dp-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 0Sira52dp-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 1Sira52dp-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 2Sira52dp-T1-GE3 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα