Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

IPA65R099C6XKSA1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Είμαι Online Chat Now

IPA65R099C6XKSA1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

IPA65R099C6XKSA1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
IPA65R099C6XKSA1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Μεγάλες Εικόνας :  IPA65R099C6XKSA1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

IPA65R099C6XKSA1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

περιγραφή
Αριθμός μερών: IPA65R099C6XKSA1 Κατασκευαστής: Τεχνολογίες Infineon
Περιγραφή: MOSFET ν-CH 650V 38A TO220 Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία Σειρά: CoolMOS™

IPA65R099C6XKSA1 προδιαγραφές

Θέση μερών Ενεργός
Τύπος FET N-Channel
Τεχνολογία MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) 650V
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C 38A (TC)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) 10V
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ 3.5V @ 1.2mA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs 127nC @ 10V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds 2780pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET -
Διασκεδασμός δύναμης (Max) 35W (TC)
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs 99 mOhm @ 12.8A, 10V
Λειτουργούσα θερμοκρασία -55°C ~ 150°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος Μέσω της τρύπας
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών PG-TO220 πλήρες πακέτο
Συσκευασία/περίπτωση -220-3 πλήρες πακέτο
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

IPA65R099C6XKSA1 συσκευασία

Ανίχνευση

IPA65R099C6XKSA1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 0IPA65R099C6XKSA1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 1IPA65R099C6XKSA1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 2IPA65R099C6XKSA1 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα