Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

STI360N4F6 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Είμαι Online Chat Now

STI360N4F6 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

STI360N4F6 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
STI360N4F6 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Μεγάλες Εικόνας :  STI360N4F6 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

STI360N4F6 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

περιγραφή
Αριθμός μερών: STI360N4F6 Κατασκευαστής: STMicroelectronics
Περιγραφή: MOSFET ν-CH 40V 120A I2PAK Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία Σειρά: DeepGATE™, STripFET™ VI

STI360N4F6 προδιαγραφές

Θέση μερών Ενεργός
Τύπος FET N-Channel
Τεχνολογία MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) 40V
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C 120A (TC)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) 10V
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ 4.5V @ 250µA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs 340nC @ 10V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds 17930pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET -
Διασκεδασμός δύναμης (Max) 300W (TC)
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs 1.8 mOhm @ 60A, 10V
Λειτουργούσα θερμοκρασία -55°C ~ 175°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος Μέσω της τρύπας
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών I2PAK (-262)
Συσκευασία/περίπτωση -262-3 μακροχρόνιοι μόλυβδοι, Ι ² Pak, -262AA
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

STI360N4F6 συσκευασία

Ανίχνευση

STI360N4F6 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 0STI360N4F6 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 1STI360N4F6 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 2STI360N4F6 MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα