Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

STFI26NM60N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Είμαι Online Chat Now

STFI26NM60N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

STFI26NM60N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία
STFI26NM60N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Μεγάλες Εικόνας :  STFI26NM60N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

STFI26NM60N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία

περιγραφή
Αριθμός μερών: STFI26NM60N Κατασκευαστής: STMicroelectronics
Περιγραφή: MOSFET ν-CH 600V 20A I2PAK FP Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία Σειρά: MDmesh™ ΙΙ

STFI26NM60N προδιαγραφές

Θέση μερών Ενεργός
Τύπος FET N-Channel
Τεχνολογία MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) 600V
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C 20A (TC)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) 10V
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ 4V @ 250µA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 50V
Vgs (Max) ±25V
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET -
Διασκεδασμός δύναμης (Max) 35W (TC)
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs 165 mOhm @ 10A, 10V
Λειτουργούσα θερμοκρασία 150°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος Μέσω της τρύπας
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών I2PAKFP (-281)
Συσκευασία/περίπτωση -262-3 πλήρες πακέτο, Ι ² Pak
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

STFI26NM60N συσκευασία

Ανίχνευση

STFI26NM60N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 0STFI26NM60N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 1STFI26NM60N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 2STFI26NM60N MOSFETs FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων ενιαία 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα