Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

MRF8S21200HR6 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Είμαι Online Chat Now

MRF8S21200HR6 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

MRF8S21200HR6 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ
MRF8S21200HR6 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Μεγάλες Εικόνας :  MRF8S21200HR6 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

MRF8S21200HR6 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

περιγραφή
Αριθμός μερών: MRF8S21200HR6 Κατασκευαστής: Α.Ε. NXP ΗΠΑ.
Περιγραφή: FET RF 2CH 65V 2.14GHZ ΝΙ-1230H Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - RF
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - RF

MRF8S21200HR6 προδιαγραφές

Θέση μερών Ξεπερασμένος
Τύπος κρυσταλλολυχνιών LDMOS (διπλό)
Συχνότητα 2.14GHz
Κέρδος 18.1dB
Τάση - δοκιμή 28V
Τρέχουσα εκτίμηση -
Αριθμός θορύβου -
Τρέχων - δοκιμή 1.4A
Δύναμη - παραγωγή 48W
- Που εκτιμάται τάση 65V
Συσκευασία/περίπτωση Νι-1230
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών Νι-1230
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

MRF8S21200HR6 συσκευασία

Ανίχνευση

MRF8S21200HR6 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 0MRF8S21200HR6 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 1MRF8S21200HR6 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 2MRF8S21200HR6 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα