Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

BLF6G27-45,135 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Είμαι Online Chat Now

BLF6G27-45,135 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

BLF6G27-45,135 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ
BLF6G27-45,135 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Μεγάλες Εικόνας :  BLF6G27-45,135 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

BLF6G27-45,135 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

περιγραφή
Αριθμός μερών: BLF6G27-45,135 Κατασκευαστής: ΑΜΕΡΙΚΑΝΙΚΗ Α.Ε. Ampleon.
Περιγραφή: FET LDMOS 65V 18DB SOT608A RF Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - RF
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - RF

BLF6G27-45,135 προδιαγραφές

Θέση μερών Ξεπερασμένος
Τύπος κρυσταλλολυχνιών LDMOS
Συχνότητα 2.7GHz
Κέρδος 18dB
Τάση - δοκιμή 28V
Τρέχουσα εκτίμηση 20A
Αριθμός θορύβου -
Τρέχων - δοκιμή 350mA
Δύναμη - παραγωγή 7W
- Που εκτιμάται τάση 65V
Συσκευασία/περίπτωση Μέθυσος-608A
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών CDFM2
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

BLF6G27-45,135 συσκευασία

Ανίχνευση

BLF6G27-45,135 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 0BLF6G27-45,135 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 1BLF6G27-45,135 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 2BLF6G27-45,135 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα