Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

MRF6V13250HR3 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Είμαι Online Chat Now

MRF6V13250HR3 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

MRF6V13250HR3 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ
MRF6V13250HR3 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Μεγάλες Εικόνας :  MRF6V13250HR3 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

MRF6V13250HR3 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

περιγραφή
Αριθμός μερών: MRF6V13250HR3 Κατασκευαστής: Α.Ε. NXP ΗΠΑ.
Περιγραφή: FET RF 120V 1.3GHZ ΝΙ-780 Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - RF
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - RF

MRF6V13250HR3 προδιαγραφές

Θέση μερών Διακομμένος στο digi-κλειδί
Τύπος κρυσταλλολυχνιών LDMOS
Συχνότητα 1.3GHz
Κέρδος 22.7dB
Τάση - δοκιμή 50V
Τρέχουσα εκτίμηση -
Αριθμός θορύβου -
Τρέχων - δοκιμή 100mA
Δύναμη - παραγωγή 250W
- Που εκτιμάται τάση 120V
Συσκευασία/περίπτωση Νι-780
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών Νι-780
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

MRF6V13250HR3 συσκευασία

Ανίχνευση

MRF6V13250HR3 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 0MRF6V13250HR3 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 1MRF6V13250HR3 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 2MRF6V13250HR3 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα