Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

MW6S010GNR1 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Είμαι Online Chat Now

MW6S010GNR1 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

MW6S010GNR1 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ
MW6S010GNR1 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Μεγάλες Εικόνας :  MW6S010GNR1 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

MW6S010GNR1 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

περιγραφή
Αριθμός μερών: MW6S010GNR1 Κατασκευαστής: Α.Ε. NXP ΗΠΑ.
Περιγραφή: FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - RF
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - RF

MW6S010GNR1 προδιαγραφές

Θέση μερών Ενεργός
Τύπος κρυσταλλολυχνιών LDMOS
Συχνότητα 960MHz
Κέρδος 18dB
Τάση - δοκιμή 28V
Τρέχουσα εκτίμηση -
Αριθμός θορύβου -
Τρέχων - δοκιμή 125mA
Δύναμη - παραγωγή 10W
- Που εκτιμάται τάση 68V
Συσκευασία/περίπτωση -270-2 φτερό γλάρων
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών -270-2 ΓΛΑΡΟΣ
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

MW6S010GNR1 συσκευασία

Ανίχνευση

MW6S010GNR1 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 0MW6S010GNR1 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 1MW6S010GNR1 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 2MW6S010GNR1 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα