Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

Pd85035-ε MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Είμαι Online Chat Now

Pd85035-ε MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Pd85035-ε MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ
Pd85035-ε MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Μεγάλες Εικόνας :  Pd85035-ε MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

Pd85035-ε MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

περιγραφή
Αριθμός μερών: Pd85035-ε Κατασκευαστής: STMicroelectronics
Περιγραφή: FET RF 40V 870MHZ Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - RF
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - RF

Pd85035-ε προδιαγραφές

Θέση μερών Ενεργός
Τύπος κρυσταλλολυχνιών LDMOS
Συχνότητα 870MHz
Κέρδος 17dB
Τάση - δοκιμή 13.6V
Τρέχουσα εκτίμηση 8A
Αριθμός θορύβου -
Τρέχων - δοκιμή 350mA
Δύναμη - παραγωγή 15W
- Που εκτιμάται τάση 40V
Συσκευασία/περίπτωση PowerSO-10RF εκτεθειμένο κατώτατο μαξιλάρι (2 διαμορφωμένοι μόλυβδοι)
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών PowerSO-10RF (διαμορφωμένος μόλυβδος)
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

Pd85035-ε συσκευασία

Ανίχνευση

Pd85035-ε MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 0Pd85035-ε MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 1Pd85035-ε MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 2Pd85035-ε MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα