Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤρανζίστορ εφέ πεδίου

MRFE6VP8600HR5 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Είμαι Online Chat Now

MRFE6VP8600HR5 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

MRFE6VP8600HR5 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ
MRFE6VP8600HR5 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Μεγάλες Εικόνας :  MRFE6VP8600HR5 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Χρόνος παράδοσης: Διαπραγματεύσιμος
Όροι πληρωμής: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 100000

MRFE6VP8600HR5 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ

περιγραφή
Αριθμός μερών: MRFE6VP8600HR5 Κατασκευαστής: Α.Ε. NXP ΗΠΑ.
Περιγραφή: FET RF 2CH 130V 860MHZ ΝΙ-1230 Κατηγορία: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - RF
Οικογένεια: Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - RF

MRFE6VP8600HR5 προδιαγραφές

Θέση μερών Ενεργός
Τύπος κρυσταλλολυχνιών LDMOS (διπλό)
Συχνότητα 860MHz
Κέρδος 19.3dB
Τάση - δοκιμή 50V
Τρέχουσα εκτίμηση -
Αριθμός θορύβου -
Τρέχων - δοκιμή 1.4A
Δύναμη - παραγωγή 125W
- Που εκτιμάται τάση 130V
Συσκευασία/περίπτωση Νι-1230
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών Νι-1230
Αποστολή UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής.
Όρος Νέο αρχικό εργοστάσιο.

MRFE6VP8600HR5 συσκευασία

Ανίχνευση

MRFE6VP8600HR5 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 0MRFE6VP8600HR5 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 1MRFE6VP8600HR5 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 2MRFE6VP8600HR5 MOSFETs RF FET κρυσταλλολυχνιών κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων τσιπ 3

Στοιχεία επικοινωνίας
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek

Τηλ.:: +8615017926135

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα