|
Λεπτομέρειες:
|
| Αριθμός μερών: | IXDN602SIA | Κατασκευαστής: | Τμήμα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων IXYS |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή: | ΔΙΠΛΟΣ ΧΑΜΗΛΟΣ ΔΕΥΤΕΡΕΥΩΝ MOSFET ΟΔΗΓΌΣ | Κατηγορία: | PMIC - Οδηγοί πυλών |
| Οικογένεια: | PMIC - Οδηγοί πυλών |
| Θέση μερών | Ενεργός |
|---|---|
| Οδηγημένη διαμόρφωση | Χαμηλός-πλευρά |
| Τύπος καναλιών | Ανεξάρτητος |
| Αριθμός οδηγών | 2 |
| Τύπος πυλών | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Τάση - ανεφοδιασμός | 4.5 Β ~ 35 Β |
| Τάση λογικής - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Τρέχων - μέγιστη παραγωγή (πηγή, νεροχύτης) | 2A, 2A |
| Τύπος εισαγωγής | Μη-αναστροφή |
| Υψηλή δευτερεύουσα τάση - Max (δόλωμα) | - |
| Χρόνος ανόδου/πτώση (τύπος) | 7.5ns, 6.5ns |
| Λειτουργούσα θερμοκρασία | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Τοποθετώντας τύπος | Η επιφάνεια τοποθετεί |
| Συσκευασία/περίπτωση | 8-SOIC (πλάτος 0,154», 3.90mm) |
| Συσκευασία συσκευών προμηθευτών | 8-SOIC |
| Αποστολή | UPS/EMS/DHL/FedEx σαφής. |
| Όρος | Νέο αρχικό εργοστάσιο. |
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Darek
Τηλ.:: +8615017926135
